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半导体企业竞争发展高度集成发光二极体(LED)照明驱动

文章出处:行业新闻 责任编辑:湖北沐鸣3有限公司 发表时间:2022-07-08
  

半导体企业竞争发展高度集成发光二极体(led照明驱动IC方案。高压金属氧化物半导体场效电晶(MOSFET)产能紧,LED照明系统供应商正面临交货延迟的困境,因此晶片供应商正在加快发布高压集成MOSFET的LED照明驱动IC方案,让LED照明系统客户免于高压MOSFET缺货之苦。

恩智浦区域市场总监王永斌表示,调光和非调光LED驱动IC和LED所有灯具的谐振控制器都需要高压MOSFET,因此,恩智浦将通过高整合LED驱动IC该计划确保客户掌握货源。

恩智浦(NXP)区域市场总监王永斌表示,2013年LED照明市场将更加蓬勃发展,但目前LED照明系统开发商是因为高压MOSFET严重缺货,陷入订单多却无法发货的困境,很难在市场上大施拳脚。

避免高压MOSFET供应不足影响市场扩张进度,包括恩智浦和意大利半导体(ST)、包尔英特(PI)等晶片制造商,已纷纷推出整合高压MOSFET的LED照明驱动IC为了确保客户LED照明产品出货无虞,同时借机成长LED照明驱动IC的市场版。

恩智浦大中华区照明产品市场经理张伟超指出,高压生产整合MOSFET的LED照明驱动IC,必须有高压制程。然而,由于高压制程的技术门槛太高,并非所有晶片制造商都有能力发展。因此,预计在这一缺货趋势下,恐怕会出现LED照明驱动IC供应商势力消长。

为大举插旗高度整合LED驱动IC王永斌强调,恩智浦已经把高原放在了计划市场上SOI-HV更适合高压制程转换LED照明应用的ABCD3.预计量产将于2013年启动,不仅更适合高压整合MOSFET,同时可以减少泄漏电流,节省泄漏电流LED照明应用不必要的功能,能量产出更高的性价比LED驱动IC产品。

除了加强高压制程技术外,现阶段只有意法半导体和东芝(Toshiba)及英飞凌(Infineon)等少数高压MOSFET因此,为了保证高整合方案的顺利开发,恩智浦也做好了万全备料准备。

张伟超透露,恩智浦预计2012年下半年LED照明市场规模将急速扩张,因此已提早向高压MOSFET从业者购买产品,现在可以保证客户在六到八周内获得高度的整合度LED照明驱动IC计划将在未来缩短到三到四周。此外,恩智浦还计划投资高压MOSFET为了掌握更稳定的供应,制造商。

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